32NAB125T12 - Semikron International

32NAB125T12 SKIIP32NAB125T12

SKiiP 32 NAB 12 Absolute Maximum Ratings Symbol Inverter VCES VGES IC ICM IF = –IC IFM = –ICM Conditions 1) Values 1200 ± 20 65 / 45 130 / 90 60 / 40 120 / 80 1500 35 700 2400 – 40 . . . + 150 – 40 . . . + 125 2500 Units V V A A A A V A A A2s °C °C V Theatsink = 25 / 80 °C tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C Theatsink = 25 / 80 °C tp < 1 ms; Theatsink = 25 / .

Features

5 A; Tj = 125 °C tr www.DataSheet4U.com Rgon = Rgoff = 47 Ω td(off) tf inductive load Eon + Eoff Cies VCE = 25 V; VGE = 0 V, 1 MHz per IGBT Rthjh Diode 2) - Inverter & Chopper VF = VEC IF = 50 A Tj = 25 (125) °C Tj = 125 °C VTO Tj = 125 °C rT IF = 50 A, VR =
  – 600 V IRRM diF/dt =
  – 800 A/µs Qrr VGE = 0 V, Tj = 125 °C Eoff per diode Rthjh Diode - Rectifier VF IF = 35 A, Tj = 25 °C per diode Rthjh Temperature Sensor T = 25 / 100 °C RTS min.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – typ. max. Units V 2,5(3,1) 3,0(3,7) ns 100 44 ns 100 56 ns 500 380 ns 100 70 mJ
  – 13 nF
  – 3,3 K/W 0,5
  – V 2.