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Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515 Http://www.jdsemi.cn 13009 PNP * ： 、 、、 。 * ： 、、。 B C E ：( Tc=25 ℃ ) － － － BVCEO BVCBO BVEBO Icm Pcm Tjm Tstg ≥ 400 ≥ 700 ≥9 12 100 150 － 55 ～ 150 V V V A W ℃ ℃ ： ( Tc=25 ℃ ) － － － － － － － BVCEO BVCBO BVEBO ICEO ICBO IEBO HFE VCE (sat) tf fT IC=1mA； I.
20 10 1 0.001 3 6 9 12 Ic（A） Pc － Tj 125 100 75 50 25 0 40 80 120 160 200 Tj（℃） 1 0.1 0.01 1 10 100 Vce（V）－ 1000 Ic （A ） 13009 Jingdao Electronic Corporation V01 2/3 Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ： TO-220 ( ：mm， ±0.1mm) TEL：0755-29799516 FAX：0755-29799515 Http://www.jdsemi.cn 13009 Jingdao Electronic Corporation V01 3/3 .
13009 - STMicroelectronics
The device is manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high volta.
| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 1300 |
Nihon Dempa Kogyo |
Crystal Clock Oscillators |
|
| 2 | 1300-102-4xx |
Methode Electronics |
2.54mm IDC Connector |
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| 3 | 13001 |
Elite |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| 4 | 13001-2 |
Jingdao |
NPN power transistor |
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| 5 | 13001-A |
Jingdao |
NPN power transistor |
|
| 6 | 13001S |
ETC |
Low-frequency amplification environment rated bipolar transistors |
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| 7 | 13001S8D |
JTD |
NPN Transistor |
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| 8 | 13002AG |
Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 9 | 13002AH |
Unisonic Technologies |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| 10 | 13003 |
STMicroelectronics |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
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| 11 | 13003 |
Elite Enterprises |
NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| 12 | 13003 |
HSiN |
HIGH VOLTAGE AND HIGH SPEED SWITCH |
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