SKIIP31NAB06 - Semikron

SKIIP31NAB06 IGBT

SKiiP 31 NAB 06 Absolute Maximum Ratings Symbol Inverter VCES VGES IC ICM IF = –IC IFM = –ICM Conditions 1) Values 600 ± 20 50 / 35 100 / 70 57 / 38 114 / 76 800 25 370 680 – 40 . . . + 150 – 40 . . . + 125 2500 Units V V A A A A V A A A2s °C °C V Theatsink = 25 / 80 °C tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C Theatsink = 25 / 80 °C tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 .

Features

30 A; Tj = 125 °C Rgon = Rgoff = 33 Ω td(off) tf inductive load Eon + Eoff Cies VCE = 25 V; VGE = 0 V, 1 MHz per IGBT Rthjh Diode 2) - Inverter & Chopper VF = VEC IF = 50 A Tj = 25 (125) °C VTO Tj = 125 °C rT Tj = 125 °C IF = 50 A, VR =
  – 300 V IRRM diF/dt =
  – 800 A/µs Qrr Eoff VGE = 0 V, Tj = 125 °C per diode Rthjh Diode - Rectifier VF IF = 25 A, Tj = 25 °C per diode Rthjh Temperature Sensor RTS T = 25 / 100 °C Mechanical Data M1 case to heatsink, SI Units Case mechanical outline see page B 16
  – 9 2 min.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – typ. max. Units V 2,1(2,2) 2,7(2,8) ns.