Q62702-A779 - Siemens Semiconductor Group

Q62702-A779 Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage)

Silicon Switching Diodes BAW 78 A … BAW 78 D Switching applications q High breakdown voltage q Type BAW 78 A BAW 78 B BAW 78 C BAW 78 D Marking GA GB GC GD Ordering Code (tape and reel) Q62702-A778 Q62702-A779 Q62702-A784 Q62702-A109 Pin Configuration Package1) SOT-89 Maximum Ratings Parameter Reverse voltage Peak reverse voltage Forward current Peak.

Features

ymbol min. DC characteristics Breakdown voltage I(BR) = 100 µA BAW 78 A BAW 78 B BAW 78 C BAW 78 D Forward voltage1) IF = 1 A IF = 2 A Reverse current VR = VRmax VR = VRmax, TA = 150 ˚C AC characteristics Diode capacitance VR = 0, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 200 mA, IR = 200 mA, RL = 100 Ω measured at IR = 20 mA Test circuit for reverse recovery time CD trr
  –
  – 10 1
  –
  – pF µs Values typ. max. Unit V(BR) 50 100 200 400 VF
  –
  – IR
  –
  –
  –
  – 1 50
  –
  – 1.6 2
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – V V µA Pulse generator: tp = 5 µs, D = 0.05 tr = 0.6 ns, Rj = 50 Ω Oscillograph: R = 50 Ω tr = 0.35 ns C ≤ 1 pF.