PDMB200BS12C - Nihon Inter Electronics Corporation

PDMB200BS12C IGBT

QS043-402-20371（2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ □ ： ＣＩＲＣＵＩＴ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２ ２００ Ａ，１２００Ｖ ＰＤＭＢ２００ＢＳ１2Ｃ □ ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 108 93 ± 0 .2 5 14 11 14 11 14 3-M6 7(G2) 6(E2) 4-Ø 6.5 12.0 11.0 12.0 11.0 12.0 94.0 80 ±0.25 62 11 13 20 6 15 6 48 ± 0 .2 5 (C2E1) 1 (E2) 2 (C1) 3 2-Ø6.5 4 4-fasten tab #110 t=0.5 21.2 7.5 7 1 2 3 7 1 48.0 16.0 14.0 2 3 7 6.

Features

２ ０ .４ ） ２ Ｎｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ２００ ４００ １，２００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB200BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ３ （ ３ ０ .６ ） PDMB200BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 3.0Ω ＲG= 7.5Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.３ － 12,600 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍａｘ. .０ １.０ ２.７ ８.０ － ０.４５ ０.７０ ０.３５ １.１０ Ｕｎｉｔ ｍＡ μＡ Ｖ Ｖ ｐＦ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut.