KT872 - Integral

KT872 NPN Transistor

КТ872 n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный высоковольтный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы (КТ872Г с демпфирующим диодом). Предназначены для применения в блоках питания, в схемах строчной развертки телевизионных приемников, узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототипы – B.

Features

Г, Г1 Статический коэффициент передачи тока КТ872В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б КТ872В Вpемя спада КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Вpемя рассасывания КТ872А, Г, А1, Г1 КТ872Б, В Постоянное прямое напряжение диода КТ872Г, Г1 Обозн. Ед. Режимы измеpения Min Max изм Uкэо гp. B Iк=100mA, Iб=0, L=40мГн 700 600 Iкэк мА Uкэк =1500B Uбэ=0 1,0 Uкэк =1200B Uбэ=0 0,6 Iэбо мA Uэб=6B 10 75 150 h21э Uкэ=5B, Iк=0,03A 6 Uкэ(нас) В Iк=2,5A, Iб=0,6A 0,5 Iк=4,5A, Iб=2,0A 1,0 Iк=4,5A, Iб=2,0A 5,0 Iк=2,5A, Iб=1,0A 1,0 tсп. мкс Uкэ=500В, I.