KT805AM - ETC

KT805AM PNP transistor

CИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА ПРОЕКТИРОВАНИЯ, РАЗРАБОТКИ И ПРОИЗВОДСТВА ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ СООТВЕТСТВУЕТ ТРЕБОВАНИЯМ СТБ ИСО 90012001 КТ805АМ÷ВМ, ИМ аАО.336.341 ТУ / 03 PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО – ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР Предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки телевизионных приемников и.

Features

(корпуса) -60 до 100o С Обознач. Uкэ и max Ед. измер. В Значение 160 135 Uкэr max В 70 60 5 5 8 2 30 Uэб max Iк max Iки max Iб max Pк max В А А А Вт ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ( Tокр.ср.=25°C ) Паpаметpы Обозн Ед. Режимы измеpения ачен измеp Обратный ток коллектор- эмиттер КТ805АМ Iкэr КТ805БМ, ВМ Обратный ток коллектор-эмиттер КТ805ИМ Iкэr Iэбо Обратный ток эмиттера КТ805АМ÷ВМ КТ805ИМ Стат. коэфф. передачи тока КТ805АМ÷ВМ h21э КТ805ИМ Напряж. насыщ. колл.-эмиттер КТ805АМ Uкэ КТ805БМ нас КТ805ВМ КТ805ИМ Напряжение насыщ. база-эмиттер КТ805АМ Uбэ КТ805БМ нас КТ805ВМ мА мA мА Uкэ и.