KT863BS - SIT

KT863BS Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR

НТЦ СИТ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЦЕНТР СХЕМОТЕХНИКИ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ. РОССИЯ, БРЯНСК КТ863/БС(x) КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР ОСОБЕННОСТИ_________ • Малая зависимость коэффициента усиления h21э от температуры • Максимально допустимый постоянный ток коллектора до 12 А, импульсный – до 15 А. • Максимально допустимое напряжения кол.

Features

1 Uкэ = 80 В 0.1 Uэб = 5В +25 0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130 0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА 0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А +25 Iк = 5 А -60…+130 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х) ___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ ЭКСПЛУАТАЦИИ ПРИ Т= -60°С...+130°С Наименование параметра, единица измерения, (режим измерения) Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=0), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=1кОм), В Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В Максимальное постоянное напряжение эмиттербаза, В Максимальный постоянный ток коллектора, А Максима.