KT817A - INTEGRAL

KT817A Transistor

www.DataSheet4U.net КТ817 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • • • Прототип КТ817Б – BD233 Прототип КТ817В – BD235 Прототип КТ817Г – BD.

Features

ое напряжение коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ817А, А9 КТ817Б, Б9 КТ817В, В9 КТ817Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Ед. изм. B Режимы измеpения Iэ=0,1A, tи=0,3 - 1 мс 25 45 60 80 Iкбо мкА Uкэ=40 В Uкэ=45 В Uкэ=60 В Uкэ=100 В Iкэr мкА Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм Uкб=2 B, Iэ=1A В Iк=1 A, Iб=0,1A 25 200 200 200 200 275 0,6 100 100 100 100 Min M.