KT816 - Integral

KT816 PNP Transistor

КТ816 p-n-p кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы • Прототип КТ816Б – BD234 • Прототип КТ816В – BD236 • Прототип КТ816Г – BD238 Особенности • Диап.

Features

Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектора КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Обратный ток коллектор-эмиттер КТ816А, А9 КТ816Б, Б9 КТ816В, В9 КТ816Г, Г9 Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Обозначение Uкэо гp. Iкбо Iкэr h21э Uкэ нас Ед. изм. Режимы измеpения Min B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс 25 45 60 80 мкА Uкэ=40 В - Uкэ=45 В - Uкэ=60 В - Uкэ=100 В - мкА Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм - Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм - Uкб=2 B, Iэ=1A 25 В Iк=1 A, Iб=0,1A - Max - 100 100 100 100 200 200 200 200 275 .