Назначение КТ3107 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p усилительный транзистор в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилительных, генераторных, переключающих схемах, схемах бытовой видеотехники и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для нужд на.
мы измеpения Min Iкбо нА Uкб = 20B, Iэ = 0 Iэбo мкА Uэб = 5B, Iк = 0 h21e Uкб = 5B, Iэ = 2мA 70 Uкэ (нас) В Iк = 10мА, Iб = 0,5мA Uбэ (нас) В Iк = 10мА, Iб = 0,5мA Cк пФ Uкб = 10B, Iэ = 0, f = 10MГц fгр MГц Uкб = 5B, Iк = 10 мA 250 Кш дБ Uкэ = 3B, Iк = 0,2мA f = 1МГц, Rг = 3кОм Max 100 100 800 0,2 0,8 7,0 4-10 Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ3107 Параметры Напряжение коллектор - база Напряжение коллектоp - эмиттеp Напряжение эмиттер - база Постоянный ток коллектора Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Таблица .
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | KT3102 |
ETC |
NPN Transistor | |
2 | KT3102 |
INTEGRAL |
NPN Transistor | |
3 | KT3102A |
ETC |
NPN Transistor | |
4 | KT3102AM |
INTEGRAL |
NPN Transistor | |
5 | KT3102B |
ETC |
NPN Transistor | |
6 | KT3102BM |
INTEGRAL |
NPN Transistor | |
7 | KT3102E |
ETC |
NPN Transistor | |
8 | KT3102E |
ETC |
Transistor | |
9 | KT3102EM |
INTEGRAL |
NPN Transistor | |
10 | KT3102K |
ETC |
Transistor | |
11 | KT3102KM |
INTEGRAL |
NPN Transistor | |
12 | KT3102N |
ETC |
Transistor |