KT3102 - INTEGRAL

KT3102 NPN Transistor

Назначение КТ3102 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства Зарубежны.

Features

мкА пФ Режимы измеpения Uкб=Uкб max,Iэ=0 Uэб=5B Uкб= 5B, Iэ= 2мA f=50Гц Uкб= 5B, f=10MГц Uкб= 5B, Iэ=10мA f=100МГц Uкэ= 5В, Iк=0,2мА пс Uкб= 5B, Iэ=10мА, f= 30МГц
* Справочные параметры Min Max 15-50 10 100 1000 6,0 2 3 4,0 100 Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ3102 Параметры Напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм) Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный ток коллектора (tu <40мкс, Q> 500) Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Обозначение Uкб max Uкэr max Uэб max Iк max Iк, и max P.