IRF6217 - International Rectifier

IRF6217 HEXFET Power MOSFET

PD - 94359 SMPS MOSFET Applications Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters IRF6217 HEXFET® Power MOSFET RDS(on) max 2.4Ω@VGS =-10V ID -0.7A l VDSS -150V Benefits Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) l Fully Characterized A.

Features

Junction-to-Ambient „ Typ.
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. 20 50 Units °C/W Notes  through „ are on page 8 www.irf.com 1 02/13/02 IRF6217 Static @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance VGS(th) Gate Threshold Voltage V(BR)DSS IDSS IGSS Drain-to-Source Leakage Current Gate-to-Source Forward Leakage Gate-to-Source Reverse Leakage Min. -150
  –
  –
  –
  –
  –
  – -3.0
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Typ.
  –
  –
  – -0.17
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID = -250µA
  –
  –
  – V/°C Refe.