BAR60 - Siemens Semiconductor Group

BAR60 Silicon PIN Diodes (RF switch RF attenuator for frequencies above 10 MHz)

Silicon PIN Diodes BAR 60 BAR 61 q q RF switch RF attenuator for frequencies above 10 MHz Type BAR 60 Marking 60 Ordering Code (tape and reel) Q62702-A786 Pin Configuration Package1) SOT-143 BAR 61 61 Q62702-A120 Maximum Ratings per Diode Parameter Reverse voltage Forward current Total power dissipation, TS ≤ 65 ˚C2) Junction temperature Storage .

Features

0, f = 100 MHz Zero bias conductance VR = 0, f = 100 MHz Charge carrier life time IF = 10 mA, IR = 6 mA Differential forward resistance f = 100 MHz, IF = 0.01 mA IF = 0.1 mA IF = 1.0 mA IF = 10 mA IR
  –
  – VF CT
  –
  – gp τL Values typ. max. Unit
  –
  –
  – 100 1 1.25 nA µA V pF
  – 0.25 0.2 50 1 0.5
  –
  –
  – µS µs
  –
  – rf
  –
  –
  –
  – 2800 380 45 7
  –
  –
  –
  – Ω Semiconductor Group 2 BAR 60 BAR 61 Forward current IF = f (VF) Forward current IF = f (TS; TA
*)
*Package mounted on alumina Forward resistance rf = f (IF) f = 100 MHz Diode capacitance CT = f (VR) Semiconductor Group 3 BAR 60 BAR 61 Ap.