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3DD13009 A9 NPN ， ， ， 、 。 NPN 3DD13009 A9 ○R ● ● ● ● ● ● ● VCEO IC Ptot（TC=25℃） 400 12 100 V A W TO-220F -10℃～40℃ 1 265℃ ＜85％ C B ，Ta= 25℃ - - - （tp＜5ms） （tp＜5ms） Ta=25℃ Tc=25℃ RθJC RθJA E VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Ptot Tj Tstg 700 400 9 12 24 6 12 2 100 150 -55～150 V V V A A A A W ℃ ℃.
≤0.1%
○
PBDE ≤0.1%
○
HBCDD ≤0.1%
○
DEHP DBP BBP
≤0.1%
○
≤0.1%
○
≤0.1%
○
○
○
○○
○
○
○
○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
○： SJ/T11363-2006 。 ×： SJ/T11363-2006 。 （Pb）， RoHS 。
2012
2 /4
3DD13009 A9
○R
100
（）
Ptot
– Ta
100
Ptot (W)
IC (A)
10
DC 1
100μs
1ms 0.1 10ms
0.01 1
Ta=25℃ 10 100
1000
- VCE (V)
IC-VCE ()
5
Ta=25℃
2.5
80
With Infinite Heatsink 60
40
20 Without Heatsink
0 0
25 50
75 100 125
Ta (℃)
150
hFE-IC ()
100
Ta=125℃
VCE=5V
Ta=25℃ 10 Ta= -55℃
hFE
IC (A)
IB=20mA
0 0
2
46
8 10
.
| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 3DD13009 |
INCHANGE |
NPN Transistor |
|
| 2 | 3DD13009 |
LGE |
NPN Transistor |
|
| 3 | 3DD13009 |
ETC |
Silicon NPN Transistor |
|
| 4 | 3DD13009 |
Dayan Technology |
NPN Transistor |
|
| 5 | 3DD13009A8 |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor |
|
| 6 | 3DD13009A9 |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN bipolar transistor |
|
| 7 | 3DD13009AN |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor |
|
| 8 | 3DD13009B8 |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN bipolar transistor |
|
| 9 | 3DD13009C8 |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor |
|
| 10 | 3DD13009E |
JILIN SINO |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
|
| 11 | 3DD13009E8 |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN bipolar transistor |
|
| 12 | 3DD13009F8 |
Huajing Microelectronics |
Silicon NPN bipolar transistor |
|