2SB1686 - Sanken Electric

2SB1686 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

(7 0 Ω ) E Darlington sAbsolute maximum ratings Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg Ratings –110 –110 –5 –6 –1 30(Tc=25°C) 150 –55 to +150 (Ta=25°C) Unit V V V A A W °C °C 2SB1686 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=–110V VEB=–5V IC=–30mA VCE=–4V, IC=–5A IC=–5A, IB=–5mA IC=–5A, IB=–5mA VCE=–1.

Features

  –5 IB2 (mA) 5 ton (µs) 1.1typ tstg (µs) 3.2typ tf (µs) 1.1typ 2.54 3.9 B C E I C
  – V CE Characteristics (Typical) A m
  –1 V CE ( sat )
  – I B Characteristics (Typical) Collector-Emitter Saturation Voltage V C E (s at) (V )
  –3 I C
  – V BE Temperature Characteristics (Typical) (V C E =
  –4V)
  –6
  –6 A
  –5m
  –0 . 5m A .4
  –0 mA
  –0 .3 m A Collector Current I C (A)
  –0. 2m A
  –4 Collector Current I C (A)
  –2
  –5A
  –4 p) Tem emp se T (Ca
  –30˚C ) (Cas e Te mp) 125 ˚C
  –2
  –1
  –2 (Ca I C =
  –3A se I B =
  –0. 1mA 0 0
  –2
  –4
  –6 0
  –0.1
  –0.5
  –1
  –5
  –10
  –50
  –100 0 0 25˚C ±0.2 0.8±0.2 .