2N5415S - STMicroelectronics

2N5415S Silicon Planar Epitaxial PNP Transistor

The 2N5415S is a silicon planar epitaxial PNP transistor in Jedec TO-39 metal case, intended for high vol-tage switching and linear amplifier applications. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol V CBO V CEO V EBO I CM Pt o t T st g, T j October 1988 Parameter Collector-base Voltage (I E = 0) Collector-emitter Voltage (I B = 0) Em.

Features

reakdown Voltage (I B = 0) Collector-emitter Saturation Voltage Base-Emitter Voltage DC Current Gain Transition Frequency Collector-base Capacitance Test Conditions V CB =
  – 175 V V CE =
  – 150 V V EB =
  – 4 V Min. Typ. Max.
  – 50
  – 50
  – 20 Unit µA µA µA I C =
  – 2 mA
  – 200 V V CE( sat )
* VB E
* h F E
* fT C CBO I C =
  – 50 mA I C =
  – 50 mA I C =
  – 50 A I C =
  – 10 mA f = 5 MHz IE = 0 f = 1 MHz I B =
  – 5 mA V CE =
  – 10 V V CE =
  – 10 V V CE =
  – 10 V 15 V CB =
  – 10 V 30
  – 2.5
  – 1.5 150 V V MHz 15 pF
* Pulsed : pulse duration = 300 µs, duty cycle = 1 %. 2/4 2N5415S TO39 MECHANICAL DATA mm.