1GW3B2AN6 - ST Microelectronics

1GW3B2AN6 NAND Flash Memory

. . . . 7 Table 2. Figure 2. www.DataSheet4U.comFigure 3. Table 3. Figure 4. Figure 5. Figure 6. Figure 7. Product Description 8 Logic Block Di.

Features

SUMMARY www.DataSheet4U.com
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
  – Up to 8 Gbit memory array
  – Up to 64Mbit spare area
  – Cost effective solutions for mass storage applications NAND INTERFACE
  – x8 or x16 bus width
  – Multiplexed Address/ Data
  – Pinout compatibility for all densities SUPPLY VOLTAGE
  – 1.8V device: VDD = 1.7 to 1.95V
  – 3.0V device: VDD = 2.7 to 3.6V PAGE SIZE
  – x8 device: (2048 + 64 spare) Bytes
  – x16 device: (1024 + 32 spare) Words BLOCK SIZE
  – x8 device: (128K + 4K spare) Bytes
  – x16 device: (64K + 2K spare) Words PAGE READ / PROGRAM
  – Random a.