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3DD207 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon NPN Power Transistors - Inchange Semiconductor

भाग संख्या 3DD207
समारोह Silicon NPN Power Transistors
मैन्युफैक्चरर्स Inchange Semiconductor 
लोगो Inchange Semiconductor लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=3DD207?> डेटा पत्रक पीडीएफ

3DD207 pdf
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Inchange Semiconductor
Silicon NPN Power Transistors
Product Specification
3DD207
CHARACTERISTICS
Tj=25 unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA ;IB=0
60 V
V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=1mA ;IE=0
60 V
V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage
IE=1mA ;IC=0
6V
VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=3A; IB=0.3A
1.0 V
VBEsat Base-emitter saturation voltage
IC=3A; IB=0.3A
1.5 V
ICBO Collector cut-off current
VCB=60V; IE=0
0.5 mA
IEBO Emitter cut-off current
VEB=6V; IC=0
0.1 mA
固IN电C半H导AN体GE SEMICONDUCTORhFE DC current gain
IC=2A ; VCE=5V
40 250
2

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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
3DD200Silicon Power TransistorInchange
Inchange
3DD201Silicon Power TransistorInchange
Inchange


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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