No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
|
|
kwazar-is |
Silicon epitaxial-planar pnp transistor мА, Iб1 = Iб2 = 1 мА) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс (Uкб = 10 В, Iк = 10 мА, f = 30 МГц) Буквенное 2Т3108А обозна- не не чение менее более h21Э 50 150 IКБ0 IЭБ0 UКЭнас - 0,2 - 0,1 - 0,25 КШ - 6 СК - 5 СЭ - |
|
|
|
kwazar-is |
Silicon epitaxial-planar p-n-p transistor лее менее более h21Э 30 120 80 300 IКБ0 - 0,5 - 0,5 IЭБ0 - 0,5 - 0,5 UКЭнас - 0,5 - 0,5 UБЭнас - 1,3 - 1,3 СК - 12 - 12 tc - 120 - 120 Содержание драгоценных металлов в 1000 шт. годных изделий: Золото: ______________________________ |
|
|
|
kwazar-is |
Silicon epitaxial-planar p-n-p transistor лее менее более h21Э 30 120 80 300 IКБ0 - 0,5 - 0,5 IЭБ0 - 0,5 - 0,5 UКЭнас - 0,5 - 0,5 UБЭнас - 1,3 - 1,3 СК - 12 - 12 tc - 120 - 120 Содержание драгоценных металлов в 1000 шт. годных изделий: Золото: ______________________________ |
|
|
|
kwazar-is |
Silicon epitaxial-planar pnp transistor мА, Iб1 = Iб2 = 1 мА) Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс (Uкб = 10 В, Iк = 10 мА, f = 30 МГц) Буквенное 2Т3108А обозна- не не чение менее более h21Э 50 150 IКБ0 IЭБ0 UКЭнас - 0,2 - 0,1 - 0,25 КШ - 6 СК - 5 СЭ - |
|