| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
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eupec GmbH |
IGBT-Module ische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse trans |
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eupec GmbH |
IGBT-Modules 1600 A VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 170 kA2s RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4 kV Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gat |
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eupec GmbH |
IGBT Modules 3,4 kV min. typ. 3,3 4,4 5,5 130 6 60 0,8 1 1,1 1,3 0,25 0,3 max. 3,7 V 4,8 V 6,5 V - nF - mA - mA 400 nA 400 nA - µs - µs - µs - µs - µs - µs Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Sch |
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