| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
|---|---|---|---|---|
|
|
|
SIT |
Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR 1 Uкэ = 80 В 0.1 Uэб = 5В +25 0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130 0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА 0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А +25 Iк = 5 А -60…+130 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х) ___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ Э |
|
|
|
|
SIT |
Silicic epitaxial planar NPN TRANSISTOR 1 Uкэ = 80 В 0.1 Uэб = 5В +25 0.55 Iк = 5А, Iб=0.04А -60…+130 0.4 Iк = 0.27А, Iб=2 мА 0.9 Iк = 0 А, Iб=0.15 А +25 Iк = 5 А -60…+130 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНО-ПЛАНАРНЫЙ N-P-N ТРАНЗИСТОР КТ863/БС(х) ___ПРЕДЕЛЬНО-ДОПУСТИМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ Э |
|