| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT 1 2 3 7 1 2 3 7 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= |
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LRC |
Dual Integrated Circuit N-Channel/PN Duals |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ３ （ ３ ０ .６ ） （ ２ ０ .４ ） ２ Ｎ ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ２００ ４００ １，２００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB200BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ３ （ ３ ０ .６ ） PDMB200BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ３ （ ３ ０ .６ ） （ ２ ０ .４ ） ２ Ｎ ・ｍ (kgf･cm) １，２００ ±２０ ２００ ４００ １，２００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB200BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ３ （ ３ ０ .６ ） PDMB200BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT 1 2 3 7 1 2 3 7 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT 1 2 3 7 1 2 3 7 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1.0Ω ＲG= 2.7Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.３ － 37,800 ０.２５ ０.４０ ０.２５ ０.８０ Ｍ |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT 1.2 VCC=600V RG=5.1( VGE=±15V TC=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) 0.8 tf 0.4 0 0 50 100 150 200 Collector Current IC (A) tON tr(VCE) 250 300 Switching Time t (µs) 5 VCC=600V 3 IC=300A VGE=±15V TC=25°C Resistive Load 1 toff 0.3 ton t |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT 5 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ２ （ ２ ０ .４ ） Ｎ ・ｍ （ ２ ０ .４ ） (kgf･cm) ２ １，２００ ±２０ １００ ２００ ６００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB１00BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ２ （ ２ ０ .４ ） PDMB１00BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ タ |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT 5 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） ２ （ ２ ０ .４ ） Ｎ ・ｍ （ ２ ０ .４ ） (kgf･cm) ２ １，２００ ±２０ １００ ２００ ６００ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB１00BS12 ３ （ ３ ０ .６ ） ２ （ ２ ０ .４ ） PDMB１00BS12C ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ タ |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT ise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ ＶＣＣ= 600V ＲL= 4.0Ω ＲG= 10.0Ω ＶＧＥ= ±15V Ｍｉｎ. － － － ４.０ － － － － － Ｔｙｐ. － － ２.３ |
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Nihon Inter Electronics Corporation |
IGBT 1 2 3 7 1 2 3 7 Ｕｎｉｔ Ｖ Ｖ Ａ Ｗ ℃ ℃ Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ ・ｍ (kgf･cm) ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on Ｆall Ｔurn-off Ｔime Ｔime Ｔime Ｔime ｔｒ ｔｏｎ ｔｆ ｔｏｆｆ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT Voltage VCE (V) 2 1.6 tOFF 1.2 VCC=600V RG=7.5( VGE=±15V TC=25°C Resistive Load Switching Time t (µs) 0.8 tf 0.4 0 0 50 100 150 Collector Current IC (A) tON tr(VCE) 200 Switching Time t (µs) 10 VCC=600V IC=200A VGE=±15V 3 TC=25°C Resistive Lo |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT － － １.０ μＡ コレクタ ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V － ２.３ ２.７ Ｖ ゲ ー ト しきい Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA ４.０ － ８.０ Ｖ Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 25,200 － |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT １ ４（１４ ３） (kgf･cm) Ｍ６ ３(３０ ６) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － .０ ｍＡ ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT １ ４（１４ ３） (kgf･cm) Ｍ６ ３(３０ ６) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － .０ ｍＡ ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT ＩＧＥＳ ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V Ｍｉｎ. － Ｔｙｐ. － Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ８.０ ｍＡ － － １.０ μＡ コレクタ ・エミッタ Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － ２.３ ２.７ Ｖ ゲ ー ト しきい Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４.０ － ８.０ Ｖ |
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NTE |
MOSFET |
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