No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec Semiconductor |
Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes 120 240 360 480 700 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 / |
|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|
|
|
Diotec |
Standard Recovery Rectifier Diodes Package smaller than industry standard Low forward voltage drop High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WEEE Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard Niedrige Fluss-Spannung Hohe Stoßstromfestigkeit |
|