SKIIP21NAB06I - Semikron

SKIIP21NAB06I IGBT POWER MODULE

SKiiP 21 NAB 06 - SKiiP 21 NAB 06 I Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions 1) Values 600 ± 20 27 / 19 54 / 38 36 / 24 72 / 48 800 25 370 680 – 40 . . . + 150 – 40 . . . + 125 2500 Units V V A A A A V A A A2s °C °C V Inverter & Chopper VCES VGES IC Theatsink = 25 / 80 °C tp < 1 ms; Theatsink = 25 / 80 °C ICM Theatsink = 25 / 80 °C IF = –IC IFM = –ICM tp <.

Features

VEC IF = 25 A Tj = 25 (125) °C VTO Tj = 125 °C rT Tj = 125 °C IF = 25 A, VR =
  – 300 V IRRM diF/dt =
  – 500 A/µs Qrr Eoff VGE = 0 V, Tj = 125 °C per diode Rthjh Diode - Rectifier VF IF = 25 A, Tj = 25 °C Rthjh per diode Temperature Sensor T = 25 / 100 °C RTS Shunts (SKiiP 21 NAB 06 I) Rcs(dc) 5 % 4) Rcs(ac) 1% m o .c U 4 t e e h S a t a .D w w w min.
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – typ. max. Units 2,1(2,2) 2,7(2,8) V 40 80 ns 70 140 ns 250 370 ns 500 750 ns 2,5
  – mJ 1,1
  – nF
  – 1,7 K/W UL recognized file no. E63532
•
•
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – V 1,45(1,4) 1,7(1,7) V 0,9 0,85 mΩ 32 22
  – A 25
  – µC 2,5
  – mJ 0,75 1,7 K/.