SFH309P - Siemens Semiconductor Group

SFH309P NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case b.

Features

q Especially suitable for applications from Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309 P) und bei 880 nm (SFH 309 PFA) q Hohe Linearität q 3 mm plane Plastikbauform im LED-Gehäuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und 380 nm to 1180 nm (SFH 309 P) and of 880 nm (SFH 309 PFA) q High linearity q 3 mm plane LED plastic package q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ (
*vorher) Type (
*formerly) SFH 309 P SFH 309 PFA (
*SFH 309 .