P2000D - Diotec

P2000D Silicon Rectifier Diodes

P2000A ... P2000M P2000A ... P2000M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-01-24 Nominal current Nennstrom Ø 8±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 62.5±0.5 7.5±0.1 Plastic case Kunststoffgehäuse Type Weight approx. Gewicht ca. Ø 1.2±0.05 Plastic material has UL classification 94V-0 Gehä.

Features

0 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature
  – Sperrschichttemperatur Storage temperature
  – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 20 A 1) 100 A 1) 500/550 A 1250 A2s -50...+175°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Characteristics Fo.