MC80N10B - JILIN SINO

MC80N10B N-CHANNEL MOSFET

MC80N10B N N-CHANNEL MOSFET MAIN CHARACTERISTICS Package ID VDSS R(-d@sVogns=-1m0aVx） Qg-typ  LED  60.0A 100V 9.2mΩ 39.7nC APPLICATIONS  LED applications  Load Switch  DC/DC AC/DC  Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  MOSFET  RDS（ON）   FEATURES Trench Power MOSFET Technology Low RDS（ON） Low gate charge .

Features

Trench Power MOSFET Technology
Low RDS（ON）
Low gate charge
 Fast-switching PDFN5
*6 ORDER MESSAGE Order codes - - - Halogen-Tube N/A Halogen-Free-Tube N/A Halogen-Reel N/A - Halogen-Free-Reel MC80N10B-AA-AR Marking MC80N10B Package PDFN5
*6 ：201908A 1/7 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) MC80N10B Parameter Symbol － Drain-Source Voltage VDSS ID T=25℃ Drain Current -continuous ID T=100℃ （ 1） Drain Current - pulse IDM （note 1） Gate-Source Voltage VGSS （ 2） Single Pulsed Avalanche EAS Energy（note 2） （ 1） Avalanche Current （note 1） IAS Power Dissipation PD.