LN1F60 - SHINDENGEN

LN1F60 Rectifier Diode

Single LN1F60 600V1.1A Feature HighVoltage LowNoise RectifierDiode ■ OUTLINE Package：1F ΧιʔυϚʔΫ $BUIPEF NBSL ̎̑ F6 00 00 ᶃ ᶃ ᶄ ඼໊ུ߸ 5ZQF /P ϩοτ‫߸ه‬ʢྫʣ %BUF DPEF ̑̌ ؅ཧ൪߸ʢྫʣ $POUSPM /P Unit：mm ᶄ ̎̌ Web。 。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourweb site.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". ■ RATINGS ●.

Features

℃/unlessotherwisespecified） VF IF＝0.8A, Pulsemeasurement IR VR＝600V, Pulsemeasurement MAX 1.05 MAX 10 V μA trr IF＝0.1A,IR＝0.1A MAX 3.5 μs θjl θja Junctiontolead ， Junctiontoambient,Onaluminasubstrate ， Junctiontoambient,Onglass-epoxysubstrate MAX 23 MAX 108 MAX 157 ℃/W （J534-p〈2012.06〉） www.shindengen.co.jp/product/semi/ LN1F60
■ CHARACTERISTIC DIAGRAMS ॱํ޲ಛੑ Forward Voltage ̍̌ ‫޲ํٯ‬ಛੑ Reverse Current ̍̌̌ ॱిྗଛࣦ‫ۂ‬ઢ Forward Power Dissipation ̎ 'PSXBSE 1PXFS %JTTJQBUJPO 1'ʤ8ʥ 'PSXBSE $VSSFOU
*'ʤ"ʥ ̍  5l ʹ̍̑̌ˆʢ."9ʣ 5l ʹ̍̑̌ˆʢ5:1ʣ  5l ʹ ̎̑ˆʢ."9ʣ 5l ʹ ̎̑ˆʢ5.