KT939 - Integral

KT939 NPN Transistor

Назначение КТ939 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор в металлическом корпусе. Предназначен для использования в схемах с повышенными требованиями к нелинейным искажениям Обозначение технических условий • аАО.336.413 ТУ Особенности • диапазон рабочих температ.

Features

ода
* КТ939А, А1 КТ939Б, Б1 КТ939В, В1 Граничная частота коэффициента передачи тока
* КТ939А, А1 КТ939Б, Б1 КТ939В, В1 Обратный ток эмиттера КТ939А, А1, В, В1 КТ939Б, Б1 Граничное напряжение Емкость эмиттерного перехода
* Iкбо h21Е Cк
* Fгр
* Iэбо Uкэогр Сэ
* мА Uкб=30B Uкб= 12 B, Iэ= 200 мA 1 2 40 200 20 200 пФ Uкб=12 B f=10МГц 5,5 6 5,7 МГц f=300МГц Iк=200мА мА Uэб=3,5 B В Iэ=30мА Iб=0 пФ Uэб=0 f=10МГц 2500 1500 2400 0,5 1 18 23 Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ939 Параметры Напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp (Rбэ=10кОм) Напр.