IRF3703PBF - International Rectifier

IRF3703PBF SMPS MOSFET

PD - 94971 SMPS MOSFET IRF3703PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l Synchronous Rectification l Active ORing l VDSS 30V RDS(on) max 2.8mΩ ID 210A† Lead-Free Benefits l Ultra Low On-Resistance l Low Gate Impedance to Reduce Switching Losses l Fully Avalanche Rated TO-220AB Absolute Maximum Ratings Parameter ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @T.

Features

e specified) Parameter Drain-to-Source Breakdown Voltage ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient V(BR)DSS RDS(on) VGS(th) IDSS IGSS Min. 30
  –
  –
  –
  –
  –
  – Static Drain-to-Source On-Resistance
  –
  –
  – Gate Threshold Voltage 2.0
  –
  –
  – Drain-to-Source Leakage Current
  –
  –
  – Gate-to-Source Forward Leakage
  –
  –
  – Gate-to-Source Reverse Leakage
  –
  –
  – Typ.
  –
  –
  – 0.028 2.3 2.8
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  –
  – Max. Units Conditions
  –
  –
  – V VGS = 0V, ID = 250µA
  –
  –
  – V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA 2.8 VGS = 10V, ID = 76A „ mΩ 3.9 VGS = 7.0V, ID = 76A „ 4.0 V VDS = VGS, ID = 250µA 20 VDS = 24V, VGS = 0V µA 250 VDS = 24V, VGS = 0V, .