FS35R12KE3G - Eupec

FS35R12KE3G IGBT

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS35R12KE3 G Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak colle.

Features

inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter saturation voltage IC= 35A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 35A, VGE= 15V, Tvj= 125°C Gate Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C Gateladung gate charge VGE= -15V...+15V Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, .