FP15R12KS4C - eupec

FP15R12KS4C IGBT

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP15R12KS4C Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip Dauerg.

Features

nung gate-emitter peak voltage VCES 1200 V IC,nom. 15 A IC 30 A TC = 80 °C ICRM 30 A Ptot 180 W VGES +/- 20V V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I2t - value Tc = 80 °C tP = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C IF 15 A IFRM 30 A I2t 125 A2s Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak colle.