DAN801 - Diotec Semiconductor

DAN801 Small Signal Diode Arrays

DAN 801 / DAP 801 (200 mW) Small Signal Diode Arrays Dioden Sätze mit Allzweckdioden Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 9 Pin-Plastic case 9 Pin-Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 200 mW 80 V 24 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.6 g see page 22 s. Seite 22 St.

Features

für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM 100 mA 1) 25 mA 1) 100 mA 1) 25 mA 1) 500 mA TU = 25/C TA = 25/C 1 ) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002 364 DAN 801 / DAP 801 (200 mW) Operating junction temperature
  – Sperrschichttemperatur Storage temperature
  – Lagerungstemperatur Tj TS
  – 50…+150/C
  – 50…+150/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 10 mA VR = 20 V VF IR trr RthA < 1.0 V < 25 nA < 4 ns < 85 K/W 1) Characteristics Forward voltage Durchlaßspannung Leak.