BPX84 - Siemens Semiconductor Group

BPX84 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays

Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case b.

Features

q Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm q High linearität q Multiple-digit array package of transparent epoxy q Available in groups Applications q q q q Wechsellichtbetrieb q Lochstreifenleser q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Miniature photointerrupters Punched tape reading Industrial electronics For control and drive circuits Semiconductor Group 1 03.96 feo06367 fez06365 BPX 80 BPX 82 ... 89 Typ Type Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array min 2 3 4 5 6 7 8 9 10 4.5 7.0 9.6 12.1 14.6 17.2 19.7 22.3 24.8 Maße “A” Dimensions “A” max.