Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm (typ. 5 pA) • TO-18, Bodenplatte, mit klarem Epoxy-Gießharz Features • Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm • Low reverse curre.
• Especially suitable for applications from 350 nm to 1100 nm
• Low reverse current (typ. 5 pA)
• TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens
Anwendungen
• Belichtungsmesser, Belichtungsautomaten
Applications
• Exposure meters, automatic exposure timers
Typ Type
BPX 63
Bestellnummer Ordering Code
Q62702-P55
2001-02-21
1
Grenzwerte Maximum Ratings
Bezeichnung Parameter
Symbol Symbol
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range
Top; Tstg
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse
entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from cas.
Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt.
No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
---|---|---|---|---|
1 | BPX60 |
Siemens Semiconductor Group |
Silizium-Fotodiode mit erhohter Blauempfindlichkeit Silicon Photodiode with Enhanced Blue Sensitive | |
2 | BPX61 |
Siemens Semiconductor Group |
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode | |
3 | BPX61 |
OSRAM |
Silicon NPN Phototransistor | |
4 | BPX65 |
Siemens Semiconductor Group |
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode | |
5 | BPX65 |
OSRAM |
Silicon PIN Photodiode | |
6 | BPX65-100 |
OSI |
Fiberoptic Receiver | |
7 | BPX66 |
Siemens Semiconductor Group |
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode | |
8 | BPX25 |
ETC |
Silicon Planar Photo Transistor | |
9 | BPX29 |
ETC |
Silicon Planar Photo Transistor | |
10 | BPX38 |
Siemens Semiconductor Group |
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor | |
11 | BPX38 |
OSRAM |
Silicon NPN Phototransistor | |
12 | BPX43 |
Vishay Telefunken |
Silicon NPN Phototransistor |