3DD13003D - Huajing Microelectronics

3DD13003D Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification

NPN ○R 3DD13003D 1 ： 3DD13003D NPN ，， ，， VCEO 、。 ：TO-126F ， RoHS 。 IC Ptot （TC=25℃） 400 2.5 50 V A W 2 ： TO-126F ● ● ● ● ● 1 2 3 1. B 2. C 3. E 3 ： 、， 。 C B VD E （） （Pb） ≤0.1% （Hg） （Cd） （Cr(VI)） (PBB) （PBDE） ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ≤0.1% ≤0.1% ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○○○ ○.

Features

0.75 0.9 0.5 1.2 3 5 1 1.5 5 1 0.8 mA mA mA V V V V V μs μs μs MHz 2 5 2008 5 1 () IC (A) 1 Tc=25℃ 0.1 0.01 1 10 100 VCE (V) Ptot(W) 60 45 30 15 0 0 ○R 3DD13003D 2 Ptot
  – T Ptot-Tc Ptot-Ta 50 100 T(℃) 3 （IC -VCE） Ic(A) Ta=25℃ 4 hFE - IC hFh EF E Ta=125℃ VCE=5V 0.5 10 Ta=25℃ Ta=-55℃ IB=5mA 1 0 5 VCE(V) 0.01 0.1 1 Ic(A) 3 5 2008 ○R 3DD13003D 5 VCEsat - IC VCEsat(1V0) 6 VBEsat - IC VBEs1at.(V5 ) Ta=125℃ 1 0.1 Ta=25℃ Ta=25℃ 1 Ta=125℃ 0.01 0.1 IC/IB=4 0.5 1 Ic(1A0) 0.01 0.1 IC/IB=4 1 Ic(A1)0 7 ts-Ic （UI9600） ts(μ5s) 4 3 2 1 0 .