2SB1383 - Sanken electric

2SB1383 Silicon PNP Transistor

(2 k Ω) (80 Ω) E Darlington sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SB1383 –120 –120 –6 –25(Pulse–40) –2 120(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C 2SB1383 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=–120V VEB=–6V IC=–25mA VCE=–4V, IC=–12A IC=–12A, IB=–24mA I.

Features

(µs) 1.0typ tstg (µs) 3.0typ tf (µs) 1.0typ Weight : Approx 6.0g a. Type No. b. Lot No. I C
  – V CE Characteristics (Typical) Collector-Emitter Saturation Voltage V C E (s at) (V )
  –25
  –8 .0 mA
  –6 .0 m A V CE ( sat )
  – I B Characteristics (Typical)
  –3 I C
  – V BE Temperature Characteristics (Typical)
  –25 (V C E =
  –4V) Collector Current I C (A)
  –4 .0m A
  –2 I C =
  –25A Collector Current I C (A)
  –20
  –20
  –15
  –15 mp Te )
  –2.5m A em p) eT Cas
  –30 ˚C ( Cas 12
  –1.0mA
  –5
  –5 I B =
  –0.6mA 0 0
  –1
  –2
  –3
  –4
  –5
  –6 0
  –0.5
  –1
  –10 Base Current I B (mA)
  –100
  –500 0 0
  –1 25˚ C(
  –6A.