2CZ20100A9LC - Huajing Microelectronics

2CZ20100A9LC N-type silicon Schottky rectifier diode

2CZ20100 A9LC ， 。 、 、。 N 2CZ20100 A9LC ○R ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF（AV） VF（MAX） 100 2×10 0.85 V A V -10℃～40℃ 1 ＜85％ 265℃ （Per Diode） ，Ta= 25℃ （8.3ms，sinusoidal） （2μs，1kHz） （Per Diode） RθJC VRRM VR IF（AV） IFSM IRRM Tj Tstg dV/dt 100 100 10 150 0.5 150 -55～150 10 V V A A A ℃ ℃ KV/μs 4.5 ℃/W 2015V01 1/4 .

Features

Diode） 100 75℃ 125℃ 25℃ 10 IF (A) IF (A) 11 IR (mA) 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 VF (V) IR-VR (Per Diode) 10 125℃ 1 0.1 0.01 0.001 75℃ 25℃ 0.0001 0 20 40 60 80 100 VR (V) IF-TC (Per Diode) 18 Pulse Test:tp=300μs,δ≤2% 16 14 12 Square Wave 10 8 6 4 2 0 115 120 125 130 135 140 145 150 155 TC (℃) IF （AV）(A) PF(AV) (W) C (pF) 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1 VF (V) 1.2 C-VR (Per Diode) 700 600 500 400 300 200 100 0 0 20 40 60 80 100 120 VR (V) 14 12 10 8 6 4 2 0 0 PF- IF (Per Diode) Pulse Test:tp=300μs,δ≤2% Square Wave 24 6 8 10 12 14 16 18 IF （AV）(A) 2015V01 3.