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Q60215-Y1113 |
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| Part Number | Q60215-Y1113 |
| Manufacturer | Siemens Semiconductor Group |
| Description | Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bo... |
| Features |
q Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
420 nm to 1130 nm
q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C q Gruppiert lieferbar Anwendungen
q Lichtschranken für Gleich- und
with base connection suitable up to 125 °C q Available in groups Applications
q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Typ Type BPY 62 BPY 62-2 BPY 62-3 BPY 62-4 BPY 62-5... |
| Document |
 Q60215-Y1113 Data Sheet
PDF 333.40KB |
| Distributor | Stock | Price | Buy |
|---|
| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
|---|---|---|---|---|
| 1 | Q60215-Y111-S4 |
Siemens Semiconductor Group |
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
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| 2 | Q60215-Y111-S5 |
Siemens Semiconductor Group |
Silizium-Fotoelement Silicon Photovoltaic Cell |
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| 3 | Q60215-Y1111 |
Siemens Semiconductor Group |
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
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| 4 | Q60215-Y1112 |
Siemens Semiconductor Group |
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
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| 5 | Q60215-Y62 |
Siemens Semiconductor Group |
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
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