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DAN208 |
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| Part Number | DAN208 |
| Manufacturer | Diotec Semiconductor |
| Description | DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzens... |
| Features |
für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
IFAV IFAV IFAV IFAV IFSM
1.0 A 1) 2.0 A 1) 1.0 A 1) 2.0 A 1) 10 A
TU = 25/C
TA = 25/C
1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten 28.02.2002
354
DAN 208 / DAP 208 (1.2 W) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS – 50…+150/C – 50…+150/C Kennwerte Tj = 25/C Tj = 25/C IF = 1 A VR = 100 V VF IR RthA < 1.2 V 1) < 10 :A < 45 K/W 2) Characteristics Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current S... |
| Document |
 DAN208 Data Sheet
PDF 122.48KB |
| Distributor | Stock | Price | Buy |
|---|
