डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
JCS650S | N-Channel MOSFET R
JCS650
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID VDSS Rdson(@Vgs=10V) Qg
28.0A 200 V 0.085Ω 103nC
封装 Package
N 沟道增强型场效应晶体管 N- CHANNEL MOSFET
用途
z 高频开关电源 z 电� |
JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
|
JCS650S | N-Channel MOSFET isc N-Channel MOSFET Transistor
JCS650S
FEATURES ·Drain Current –ID= 28A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) =85mΩ(Max) ·100% avalanche tested |
INCHANGE |
www.DataSheet.in | 2017 | संपर्क |