| No. | Partie # | Fabricant | Description | Fiche Technique |
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Nihon |
IGBT （ＲＭＳ） ３ （ ３ ０ .６ ） （ ２ ０ .４ ） ２ Ｎ ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ １５０ ３００ ５６０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB150E6 ３ （ ３ ０ .６ ） （ ３ ０ .６ ） ３ PDMB150E6Ｃ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on |
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Advanced Semiconductor |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR • • • Omnigold™ Metalization System C B MAXIMUM RATINGS IC VCBO VCEO VCES VEBO PDISS TJ TSTG θ JC O E H D G F K I J 16 A 60 V 25 V 60 V 4.0 V 230 W @ TC = 25 C -65 C to +200 C -65 OC to +150 OC 1.1 OC/W O O DIM A B C D E F G H I J K L .980 / 2 |
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Rectron Semiconductor |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 20 to 100 Volts CURRENT 1.0 Ampere) * * * * * Ideal for surface mounted applications Low leakage current Metallurgically bonded construction Mounting position: Any Weight: 0.09 gram DO-214AC MECHANICAL DATA * Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O 0.067 (1.70) 0.051 ( |
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Nihon |
IGBT （ＲＭＳ） ３ （ ３ ０ .６ ） （ ２ ０ .４ ） ２ Ｎ ・ｍ (kgf･cm) ６００ ±２０ １５０ ３００ ５６０ －４０～＋１５０ －４０～＋１２５ ２,５００ PDMB150E6 ３ （ ３ ０ .６ ） （ ３ ０ .６ ） ３ PDMB150E6Ｃ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｓｙｍｂｏｌ ＩＣＥＳ ＩＧＥＳ ＶＣＥ（ｓａｔ） ＶＧＥ（ｔｈ） Ｃｉｅｓ ターンオン ターンオフ Ｒise Ｔurn-on |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT （３０.６） ３（３０.６） PDMB150E6Ｃ ３（３０.６） ２（２０.４） Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ ・ｍ (kgf･cm) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V |
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Nihon Inter Electronics |
IGBT （３０.６） ３（３０.６） PDMB150E6Ｃ ３（３０.６） ２（２０.４） Ｖ（ＲＭＳ） Ｎ ・ｍ (kgf･cm) □ ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ コレクタ Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ゲートれ Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ ＩＣＥＳ ＶＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V |
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