डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
CEP6601 | P-Channel MOSFET CEP6601/CEB6601 CEF6601
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
-60V, -19A, RDS(ON) = 86mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) = 125mΩ @VGS = -4.5V.
Super high dense cell design for extremely low RDS( |
CET |
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CEP6601 | P-Channel MOSFET | CET |
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