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CEG2108E | Dual N-Channel MOSFET CEG2108E
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
20V, 8.5A, RDS(ON) = 14mΩ @VGS = 10V.
RDS(ON) = 15mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 2.5V. RDS(ON) = 28mΩ @VG |
CET |
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CEG2108E | Dual N-Channel MOSFET | CET |
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