3DD4515 डाटा शीट PDF( Datasheet )

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD4515 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.0V(Max) @IC=10A ·Minimum Lot-to-Lot var

R NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 3DD4515 主要参数 IC VCEO PC(TO-3PN(B)) MAIN CHARACTERISTICS 15A 400V 120W 封装 Package 用途 z z z z z 节能�

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硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4515 A6 ○R 产品概述 3DD4515 A6 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该产品 采用平面工艺，分压环终端 结构和少子寿命控制技术， 提高

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD4515 B1D-H ○R 产品概述 3DD4515 B1D-H 是硅 NPN 型功率开关晶体管，该 产品采用平面工艺，分压环 终端结构和少子寿命控制 技术，�

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