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3DD200 डाटा शीट PDF( Datasheet )


डेटा पत्रक ( Datasheet PDF )

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3DD200   Silicon Power Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 3DD200 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) ·DC Current Gain- : hFE= 30~120(Min.)@IC= 2A ·Collector-Emitter Satur
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3DD200D   NPN Transistor

isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·High DC Current Gain-hFE=15(Min)@IC = 8A ·Low Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.4V(Max)@ IC = 8A ·Minimum Lot-to-Lot variations
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