डेटा पत्रक ( Datasheet PDF ) |
भाग संख्या | विवरण | मैन्युफैक्चरर्स | |
3DD13009 | NPN Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
3DD13009
DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: VCEO(SUS) = 400V(Min.) ·Collector Saturation Voltage
: VCE(sat) = 1.5 (Max) @ IC= 8.0A |
INCHANGE |
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3DD13009 | NPN Transistor 3DD13009(NPN)
TO-220 Transistor
1. BASE
TO-220
2. COLLECTOR
Features
3 2 1
power switching applications
3. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC TJ Ts |
LGE |
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3DD13009 | Silicon NPN Transistor 1
3DD13009 NPN
3DD13009
2
2.1
2.2
TO-220F
Tamb= 25
-
Ta=25 Tc=25
VCE0 VCB0 VEB0
IC
Ptot
Tj Tstg
400 700 9 12 2 100 150 -55 150
V V V A
W
Tamb= 25
10.4max 3.2
2.7max
4.8max
2.7 15.5max
1.2
0.6
2.54 |
ETC |
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3DD13009 | NPN Transistor Dayan Technology Industry Co., Ltd. Shenzhen
1. NPN
3DD13009
2. TO-220 3.
4. Ta=25
VCBO
VCEO
VEBO
IC
T a=25
PC
T c=25
Tj
Tstg
5 Ta=25
700 400
9 12 3.0 100 150 -55~150
V V V A W W
B VCBO B VCEO B |
Dayan Technology |
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3DD13009-A9 | Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
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ETC |
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3DD13009A8 | Silicon NPN Transistor 产品概述
3DD13009 A8 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
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Huajing Microelectronics |
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3DD13009A9 | Silicon NPN bipolar transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 3DD13009 A9
○R
产品概述
3DD13009 A9 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提� |
Huajing Microelectronics |
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