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BAW101 डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - High Voltage Double Diode - LGE

भाग संख्या BAW101
समारोह High Voltage Double Diode
मैन्युफैक्चरर्स LGE 
लोगो LGE लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BAW101?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BAW101 pdf
BAW101
High Voltage Double Diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Characteristic
Symbol Min Typ MAX UNIT Test Condition
Reverse Breakdown Voltage V(BR)R
300 -
-
V IR= 100μA
Forward Voltage
VF - - 1.1 V IF=100mANote1
Reverse Leakage Current
IR
-
-
150 nA VR=250V
50 μA VR=250V,Tj=150
Diodes Capacitance
Cd
--2
pF VR=0V,f=1.0MHz
Reverse Recovery Time
trr
- - 50 ns IF=IR=30mA,RL=100
Irr=0.1*IR
Note:1.Pulse tese:pulse width=300µs;δ=0.02
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
Http:www.luguang.cn E-mail:lge@luguang.cn

विन्यास 5 पेज
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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BAW100Silicon Switching Diode Array (For high-speed switching Electrically insulated diodes)Siemens Group
Siemens Group
BAW100SILICON SWITCHING DIODESCentral Semiconductor
Central Semiconductor


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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