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BF5030R डेटा पत्रक PDF( Datasheet डाउनलोड )


डेटा पत्रक - Silicon N-Channel MOSFET Tetrode - Infineon

भाग संख्या BF5030R
समारोह Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
मैन्युफैक्चरर्स Infineon 
लोगो Infineon लोगो 
पूर्व दर्शन
1 Page
		
<?=BF5030R?> डेटा पत्रक पीडीएफ

BF5030R pdf
BF5030...
Maximum Ratings
Parameter
Drain-source voltage
Continuous drain current
Gate 1/ gate 2-source current
Gate 1/ gate 2-source voltage
Total power dissipation
TS 94 °C, BF5030W
TS 76 °C, BF5030, BF5030R
Storage temperature
Channel temperature
Thermal Resistance
Parameter
Channel - soldering point1)
BF5030W
BF5030, BF5030R
Symbol
VDS
ID
IG1S, IG2S
VG1S, VG2S
Ptot
Tstg
Tch
Symbol
Rthchs
1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance
Value
8
25
±1
±6
200
200
-55 ... 150
150
Value
280
370
Unit
V
mA
mA
V
mW
°C
Unit
K/W
2 2009-05-05

विन्यास 13 पेज
डाउनलोड[ BF5030R Datasheet.PDF ]


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अनुशंसा डेटापत्रक

भाग संख्याविवरणविनिर्माण
BF5030Silicon N-Channel MOSFET TetrodeInfineon
Infineon
BF5030RSilicon N-Channel MOSFET TetrodeInfineon
Infineon


भाग संख्याविवरणविनिर्माण
30L120CTSchottky RectifierPFC Device
PFC Device
AT28C010-12DKSpace 1-MBit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMATMEL
ATMEL
B20NM50FDN-CHANNEL POWER MOSFETSTMicroelectronics
STMicroelectronics
D8442SD844SavantIC
SavantIC
FAE391-A20AM/FM Automotive Electronic TunerMitsumi
Mitsumi


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